速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发 三星 2024-05-31 385 快科技5月31日消息，三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的... 阅读全文
