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英伟达Vera Rubin

英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹

英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹

显卡 38
快科技8月19日消息,据TrendForce报道,随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货逐步提升,其存储需求效应已从HBM延伸至NAND闪存领域。市场数据显示,TLC NAND闪存现货价格自6月触及低位后持续反弹,本周报价较上周上涨4.97%,较三周前累计涨幅达11.6%。尽管英伟达绝大部分TLC NA...