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快科技2月12日消息，据媒体报道，SK海力士近期公布了其新一代LPDDR6内存模块的规格。该模块基于1cnm DRAM制造工艺，单颗容量为16Gb，传输速率达到14.4Gbps，已触及现阶段JEDEC标准上限，是目前公开规格中最快的LPDDR6产品。SK海力士计划推出16Gb LPDDR6模块 速率达14.4...

     快科技11月28日消息，相比于常规的DDR内存，HBM高带宽内存才是AI时代的宠儿，SK海力士今年9月就搞定了全球首个HBM4内存，未来将搭配NVIDIA Vera Ruby、AMD MI400系列平台。目前在NVIDIA Blackwell平台上的HBM3E内存，最高...

快科技8月3日消息，这是1992年以来，DRAM内饰市场领导地位首次发生变化。2025年第一季度，SK海力士（SK Hynix）首次超越三星电子（Samsung Electronics），成全球最大内存制造商，主要得得益于AI需求和HBM内存的强势崛起。三星7月31日公布的财报显示，其内存收入（包括DRAM和...

快科技3月7日消息，据报道，自2007年成立以来，SK海力士CIS事业部在克服重重挑战后，成功进军移动端市场并取得了显著成果。这一成就不仅标志着公司在逻辑半导体技术和定制业务领域的实力，也为其在AI时代的转型奠定了基础。随着AI技术的迅猛发展，SK海力士正积极转型，致力于成为AI产业的核心企业。公司不仅在面向...

快科技2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中，使其在...

本周四，韩国SK海力士宣布，已开始量产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB，这是迄今为止现有HBM的最大容量。SK海力士声称，12层HBM3E产品在速度、容量和稳定性方面均达到全球最高标准。该公司计划在年内向客户提供量产产品。AI芯片新突破！SK海力士全球首个实现12层HBM3E产品量产受此消息影响，...

快科技8月29日消息，SK海力士宣布，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的DDR5 DRAM芯片。这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。与前一代产品相比，1c DDR5 DRAM的运行速度达到了8Gbps，速度提升了11%，同时能效也提...

快科技7月30日消息，今天，SK海力士推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7，相比上代运行速度提升60%。按照SK海力士的说法，GDDR7将于今年第三季度开始量产。SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps的运行速度，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最...

快科技6月30日消息，据媒体报道，全球半导体产业的人才争夺战愈演愈烈，韩国作为半导体制造强国，正面临前所未有的人才流失危机。近年来，随着AI服务器等高性能计算系统的兴起，对半导体技术人才的需求急剧增加，而美国等地区对芯片制造业的大力发展，导致韩国半导体人才被大量挖角，其中，三星电子和SK海力士成为了重灾区。据...

快科技6月28日消息，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧AI PC的“业界最高性能”固态硬盘SSD产品——PCB01，将提供512GB、1TB、2TB三种容量。据悉，这款PCB01固态硬盘不仅延续了SK海力士在HBM等超高性能DRAM领域的领先地位，更在NAND闪存解决方案方面迈出了重要一步，为面向AI的存储...

ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。据报道，SK海力士总裁李石熙日前表示，该公司计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV光刻机生产第四代（1a nm）DR...