俄自研EUV光刻机曝光：11.2nm光源 每小时处理60片12吋晶圆 科学 2024-12-21 58 12月21日消息，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图，目标是打造比ASML系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此，新技术无法与现有EUV基础设施相容，需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上... 阅读全文
